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歐美晶振

首頁(yè)歐美晶振CTS晶振CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體

    CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體

  • 產(chǎn)品型號(hào):67704760
  • 晶振頻率:25MHZ
  • 晶振尺寸:
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體,西迪斯晶振,歐美晶振,SMD晶體,無(wú)源晶體,貼片諧振器,石英貼片晶振,型號(hào)ATSSMTS,編碼TS250F23CET是一款金屬面貼片型的無(wú)源石英晶體,尺寸為11.1*4.85mm,頻率25MHZ,精度20ppm,負(fù)載20p...

   CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體,西迪斯晶振,歐美晶振,SMD晶體,無(wú)源晶體,貼片諧振器,石英貼片晶振,型號(hào)ATSSMTS,編碼TS250F23CET是一款金屬面貼片型的無(wú)源石英晶體,尺寸為11.1*4.85mm,頻率25MHZ,精度20ppm,負(fù)載20pF,工作溫度-20~+70°C,采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)匠心打磨而成,產(chǎn)品具有優(yōu)良的高質(zhì)量低損耗的特點(diǎn),非常適合用于無(wú)線(xiàn)通訊,寬帶接入,FPGA /微控制器,計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備,微處理器,測(cè)試和測(cè)量,消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品,便攜式設(shè)備等領(lǐng)域.
   TS260F23CDT普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體
 CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體,CTS ATSSMTS在經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的電阻焊接金屬封裝中集成了高Q石英諧振器。ATSSMTS提供緊密的穩(wěn)定性選擇,是支持廣泛的商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
CTS晶振規(guī)格 單位 ATSSMTS晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 25MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C - + 85°C 裸存
工作溫度 T_use -20°C - +70°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 200μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±30 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.omrb.cn
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-0°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 20PF 不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 30 Ohms -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 

CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體  尺寸圖


TS250F23CET晶振  使用注意事項(xiàng)
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題,但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型石英晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。
若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體
撞擊
雖然貼片晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊,以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得時(shí)鐘晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用。
引線(xiàn)類(lèi)型產(chǎn)品
當(dāng)引線(xiàn)彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體

質(zhì)量政策
    平板電腦晶體振蕩器與我們的員工一起開(kāi)創(chuàng)并保持一個(gè)免于事故的工作場(chǎng)所。重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過(guò)員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效。
    將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預(yù)防和員工的努力納入日常運(yùn)行當(dāng)中。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET無(wú)源晶體
    加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來(lái)生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染。
    CTS金屬面晶振集團(tuán)為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全,確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性,通過(guò)正式的管理評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn),保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境。
    CTS晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo),定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。通過(guò)對(duì)生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無(wú)效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力。
    將生產(chǎn)活動(dòng)中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來(lái),確保活動(dòng)中每一分子的運(yùn)作和發(fā)展都體現(xiàn)對(duì)污染預(yù)防方針的貫徹。
    我們將定期對(duì)雇員進(jìn)行教育和培訓(xùn),確保他們能夠安全高效的工作,樹(shù)立他們的環(huán)保責(zé)任感。 與雇員、客戶(hù)、公眾、政府及關(guān)注公司環(huán)境績(jī)效和持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃的相關(guān)方進(jìn)行充分開(kāi)放的信息交流。
Manufacturer Part Number原廠編碼 Manufacturer廠家 Series型號(hào) Frequency Size / Dimension 尺寸
TS220F23CDT CTS晶振 ATSSMTS 22MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F23CET CTS晶振 ATSSMTS 22MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 22MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F33CET CTS晶振 ATSSMTS 22MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F23CDT CTS晶振 ATSSMTS 22.1184MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F23CET CTS晶振 ATSSMTS 22.1184MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 22.1184MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F33CET CTS晶振 ATSSMTS 22.1184MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F23CDT CTS晶振 ATSSMTS 24MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F23CET CTS晶振 ATSSMTS 24MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 24MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F33CET CTS晶振 ATSSMTS 24MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF23CDT CTS晶振 ATSSMTS 24.576MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF23CET CTS晶振 ATSSMTS 24.576MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF33CDT CTS晶振 ATSSMTS 24.576MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF33CET CTS晶振 ATSSMTS 24.576MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F23CDT CTS歐美晶振 ATSSMTS 25MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F23CET CTS晶振 ATSSMTS 25MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 25MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F33CET CTS晶振 ATSSMTS 25MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F23CDT CTS晶振 ATSSMTS 26MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F23CET CTS晶振 ATSSMTS 26MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 26MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F33CET CTS晶振 ATSSMTS 26MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F23CDT CTS晶振 ATSSMTS 27MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F23CET CTS晶振 ATSSMTS 27MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F33CDT CTS晶振 ATSSMTS 27MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F33CET CTS晶振 ATSSMTS 27MHz 0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)

1.技術(shù)支持                        2.客服咨詢(xún)
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3.質(zhì)量保證,誠(chéng)信為上                4.提升業(yè)績(jī),降低成本
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CTS晶振規(guī)格 單位 403晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 16 – 60MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C - + 85°C 裸存
工作溫度 T_use -20°C - +70°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 200μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±30 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±30 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.omrb.cn
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-0°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 3-5PF 不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 

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